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반도체 및 디스플레이 열처리 장비

HVCD OVEN

RTP-300

Vertical Furnace





 

퍼니스 및 오븐장비

 

 

Specification

 BODY Dimension

W : 800 D : 1200 H : 2600 

 SCR BOX

W : 500 D : 900 H : 1200

 무게

100kg

 GAS

 N2, O2, CDA

 Wafer 처리수

 MAX 150ea

 Loader 이동거리

 1140mm

 Loader U/D

 Ball Screw + Ball Bushing

 Chamber 최대 온도

 1250˚C

 공정온도

 400~1200˚C

 온도정밀도

 ±1˚C

 Dry Oxidation

 ±3%